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Bonden
engl., verbinden, eine in der Halbleiterverarbeitung übliche Technologiebeschreibung für das Verbinden des, Schaltkreischips mit seiner Unterlage (Substrat) oder mit den Schaltkreisanschlüssen des Trägerstreifens oder den Leiterzügen der Leiterplatte. Beim Verbinden von Chip und Substrat kann man unterscheiden zwischen Klebe-B. (Aufkleben des Schaltkreischips) und Löt-B. (Auflöten des Schaltkreischips).
Beim Verbinden von Bondinsel, Bondinsel und Schaltkreisanschlüssen des Trägerstreifens oder Leiterzügen der Leiterplatte unterscheidet man zwischen Ultraschall- Bonden (US-B.) und Thermokompressions-Bonden (TK-B.).
Beim US-Bonden werden die Bonddrähte durch Ultraschall und Druck auf die Bondinseln und die Leiterzüge der Leiterplatte aufgeschweißt. Weil bei diesem Verfahren das Substrat nur gering thermisch belastet wird, ist diese Technologie typisch für die Verarbeitung von Uhrenschaltkreisen.
Beim TK- Bonden wird das Bonddrahtende bis zum Schmelzen erhitzt und auf die Bondinsel aufgepresst, ebenso auf den Anschluss des Trägerstreifens. Das Verfahren ist für die Herstellung verkappter Schaltkreise typisch.
Siehe Leiterplatte, Bondinsel, Uhrenschaltkreisen, Filmträgerbonden.
© 1987, wissenmedia GmbH, Gütersloh/München, mit freundlicher Genehmigung
Siehe auch: [Bondinsel] [Leiterplatte]
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